随着人工智能（AI）技术的快速发展，高带宽存储器（HBM）产品的销量也在节节攀升。与DDR5等相同容量和工艺的存储芯片相比，HBM芯片的晶圆尺寸增加了35%到45%。与此同时，HBM芯片所需要的制造工艺更为复杂，良品率比起DDR5低了20%至30%，这意味着相同的晶圆面积上生产出的合格芯片会更少。
由于HBM产品具备较高的附加值，为了满足市场的强劲需求，存储器制造商普遍将更多的产能转移到HBM芯片生产上，从而导致普通DRAM芯片供应变得紧张。据相关媒体报道，有业内人士透露，由于HBM3和HBM3E挤占产能，加上下游AI服务器订单增加，坚定了SK海力士涨价的决心，计划上调DDR5的价格，幅度在15%至20%。
DRAM市场上仅次于三星、SK海力士和美光，位于第四位的南亚科技（Nanya），最近已经开始量产DDR5，预计将从这次涨价中受益。其出货的是16Gb DDR5芯片，采用了目前DRAM中最为微细化的1β (b) nm（第五代10nm级别）技术。
此前SK海力士称，2024年的HBM产能已经售罄，2025年的产能也基本被预订完了，计划将现有20%以上的DRAM产能分配给HBM，减少了DDR4和DDR5芯片的供应。随着SK海力士的产能转移，加上对DDR5的定价进行调整，预计会逐步反映到市场上。
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